大電容并聯(lián)小電容的意義-磁懸浮產(chǎn)品，因?yàn)榇箅娙萦捎谌萘看?，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作（動(dòng)手拆過鋁電解電容應(yīng)該會(huì)很有體會(huì)，沒拆過的也可以拿幾種不同的電容拆來看看），這就導(dǎo)致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感，英文簡稱ESL）。大家知道，電感對(duì)高頻信號(hào)的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容量小，因此體積可以做得很?。s短了引線，就減小了ESL，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線也可以看成是一個(gè)電感的），而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小的ESL，這樣它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對(duì)低頻信號(hào)的阻抗大。所以，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號(hào)都可以很好的通過，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小電容的方式。常使用的小電容為0.1uF的瓷片電容，當(dāng)頻率更高時(shí)，還可并聯(lián)更小的電容，例如幾pF、幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的電容到地（這電容叫做去耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容。它越靠近芯片的位置越好），因?yàn)樵谶@些地方的信號(hào)主要是高頻信號(hào)，使用較小的電容濾波就可以了。

電容的串并聯(lián)容量公式-電容器的串并聯(lián)分壓公式

1.串聯(lián)公式：C=C1*C2/(C1 C2)

2.并聯(lián)公式C=C1 C2 C3

補(bǔ)充部分：

串聯(lián)分壓比——V1=C2/(C1 C2)*V........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此

并聯(lián)分流比——I1=C1/(C1 C2)*I........電容越大通過的電流越大，當(dāng)然，這是交流條件下

一個(gè)大的電容上并聯(lián)一個(gè)小電容

大電容由于容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導(dǎo)致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感，英文簡稱ESL）。

電感對(duì)高頻信號(hào)的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容量小，因此體積可以做得很小（縮短了引線，就減小了ESL，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線也可以看成是一個(gè)電感的），而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對(duì)低頻信號(hào)的阻抗大。

所以，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號(hào)都可以很好的通過，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小電容的方式。

常使用的小電容為0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行)，當(dāng)頻率更高時(shí)，還可并聯(lián)更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的電容到地（這個(gè)電容叫做退耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容,越靠近芯片越好），因?yàn)樵谶@些地方的信號(hào)主要是高頻信號(hào)，使用較小的電容濾波就可以了。

理想的電容，其阻抗隨頻率升高而變小（R＝1/jwc）,但理想的電容是不存在的，由于電容引腳的分布電感效應(yīng)，在高頻段電容不再是一個(gè)單純的電容，更應(yīng)該把它看成一個(gè)電容和電感的串聯(lián)高頻等效電路，當(dāng)頻率高于其諧振頻率時(shí)，阻抗表現(xiàn)出隨頻率升高而升高的特性，就是電感特性，這時(shí)電容就好比一個(gè)電感了。相反電感也有同樣的特性。

大電容并聯(lián)小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在于電容的自諧振特性。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號(hào)，小電容濾高頻（自諧振頻率高），大電容濾低頻（自諧振頻率低），兩者互為補(bǔ)充。